参数名称 | 参数值 |
---|---|
生命周期 | Active |
Objectid | 8323804723 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 1.5 |
YTEOL | 6.5 |
最大集电极电流 (IC) | 1 A |
集电极-发射极最大电压 | 60 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 40 |
JEDEC-95代码 | TO-39 |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最低工作温度 | -65 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
极性/信道类型 | NPN |
表面贴装 | NO |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 50 MHz |
最大关闭时间(toff) | 850 ns |
最大开启时间(吨) | 250 ns |
tariffCode | 85412900 |
rohsCompliant | YES |
合规 | - |
hazardous | false |
rohsPhthalatesCompliant | YES |
针脚数 | 3Pins |
工作温度最高值 | 200°C |
产品范围 | - |
usEccn | EAR99 |
MSL | - |
最大集电极发射电压 | 60V |
连续集电极电流 | 1A |
euEccn | NLR |
晶体管封装类型 | TO-39 |
过渡频率 | 50MHz |
功率耗散 | 800mW |
晶体管极性 | NPN |
productTraceability | No |
直流电流增益hFE最小值 | 30hFE |
晶体管安装 | 通孔 |