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30-FT12NMA160SH02-M669F28
晶体管 > IGBT

30-FT12NMA160SH02-M669F28

Vincotech
Insulated Gate Bipolar Transistor, 156A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-56
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Contact Manufacturer
风险等级:
8.41
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Contact Manufacturer
Objectid 145144810771
包装说明 MODULE-56
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.41
外壳连接 ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 156 A
集电极-发射极最大电压 1200 V
配置 COMPLEX
门极发射器阈值电压最大值 6.3 V
JESD-30 代码 R-XUFM-X56
元件数量 4
端子数量 56
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -40 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 398 W
参考标准 UL RECOGNIZED
表面贴装 NO
端子形式 UNSPECIFIED
端子位置 UPPER
晶体管应用 POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON
标称断开时间 (toff) 301.8 ns
标称接通时间 (ton) 165 ns
VCEsat-Max 2.42 V
参数规格与技术文档
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