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2SJ209-L-A
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2SJ209-L-A

Renesas Electronics Corporation
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,100V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-346
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.66
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid 2SJ209-L-A
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Obsolete
Objectid 113210668
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 9.66
YTEOL 0
配置 SINGLE
最大漏极电流 (ID) 0.1 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
元件数量 1
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
极性/信道类型 P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.2 W
表面贴装 YES
参数规格与技术文档
Renesas Electronics Corporation
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