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2SD1898I
二极管 > BJT

2SD1898I

Galaxy Microelectronics
80V,1A,Medium Power NPN Bipolar Transistor, Diodes, NPN, 80V, 1A, 82, 390, 3V
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.37
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Active
Objectid 145154609707
包装说明 ,
Reach Compliance Code unknown
Country Of Origin Mainland China
ECCN代码 EAR99
风险等级 7.37
YTEOL 4
类别 Diodes
极性 NPN
V(BR)CEO (V) min. 80
IC (A) 1
hFE min 82
hFE max 390
Condition1_VCE (V) 3
Condition1_IC (mA) 500
VCE (sat) (V) 0.4
Condition2_IC (mA) 500
Condition2_IB (mA) 20
fT (MHz) min. 100(typ)
PD (W) max. 1
AEC Qualified No
最高工作温度 150
最低工作温度 -55
MSL等级 3
生命周期 Active
是否无铅 Yes
符合Reach Yes
符合RoHS Yes
ECCN代码 EAR99
Package Outlines TO-251
参数规格与技术文档
Galaxy Microelectronics
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