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2SD1758
晶体管 > 功率双极晶体管

2SD1758

Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
Power Bipolar Transistor,
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
-
风险等级:
暂无风险等级信息
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Active
Objectid 8328485780
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code unknown
Country Of Origin Mainland China
ECCN代码 EAR99
YTEOL 4
最大集电极电流 (IC) 2 A
集电极-发射极最大电压 32 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 82
JEDEC-95代码 TO-252
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
元件数量 1
端子数量 2
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz
参数规格与技术文档
Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
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