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2SD1624
二极管 > BJT

2SD1624

Galaxy Microelectronics
50V,3A,General Purpose NPN Bipolar Transistor, Diodes, NPN, 50V, 3A, 100, 560, 2V
数据手册:
-
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
-
风险等级:
-
风险等级:
暂无风险等级信息
参数规格
详细参数
参数名称 参数值
类别 Diodes
极性 NPN
V(BR)CEO (V) min. 50
IC (A) 3
hFE min 100
hFE max 560
Condition1_VCE (V) 2
Condition1_IC (mA) 100
VCE (sat) (V) 0.7
Condition2_IC (mA) 2
Condition2_IB (mA) 100
fT (MHz) min. 150(typ)
PD (W) max. 0.5
AEC Qualified No
最高工作温度 150
最低工作温度 -55
MSL等级 3
生命周期 Active
是否无铅 Yes
符合Reach Yes
符合RoHS Yes
ECCN代码 EAR99
Package Outlines SOT-89
参数规格与技术文档
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