Thu May 02 2024 22:16:58 GMT+0800 (China Standard Time)

随身查
mini app
扫码添加小程序
手机随时查器件
2SD1267
晶体管 > BJT

2SD1267

Inchange Semiconductor Company Ltd
Bipolar Transistors;NPN;4A;60V;TO-220Fa
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Contact Manufacturer
风险等级:
8.49
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Contact Manufacturer
Objectid 108650644
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.49
外壳连接 ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 4 A
集电极-发射极最大电压 60 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 15
JEDEC-95代码 TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN
功耗环境最大值 2 W
最大功率耗散 (Abs) 40 W
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 20 MHz
VCEsat-Max 1.5 V
参数规格与技术文档
Inchange Semiconductor Company Ltd
Inchange Semiconductor Company Ltd
团队正努力扩充器件资源,敬请期待!
对比栏已满,请删除不需要的器件再继续添加哦!
对比栏
取消