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2SCR583D3TL1
晶体管 > 功率双极晶体管

2SCR583D3TL1

ROHM Semiconductor
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3/2
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥12.0071
市场总库存:
33,263
生命周期状态:
Active
风险等级:
1.7
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 8343955503
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
Date Of Intro 2019-02-12
风险等级 1.7
Samacsys Description NPN, TO-252 (DPAK), 50V 7A, Power Transistor
Samacsys Manufacturer ROHM Semiconductor
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 4
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 7 A
集电极-发射极最大电压 50 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 180
JEDEC-95代码 TO-252
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
元件数量 1
端子数量 2
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 280 MHz
参数规格与技术文档
ROHM Semiconductor
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