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2SC4374
二极管 > BJT

2SC4374

Galaxy Microelectronics
80V,0.4A,General Purpose NPN Bipolar Transistor, Diodes, NPN, 80V, 0.4A, 70, 240, 2V
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
-
风险等级:
暂无风险等级信息
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Active
Objectid 8328485788
零件包装代码 SOT-89
Reach Compliance Code unknown
Country Of Origin Mainland China
ECCN代码 EAR99
YTEOL 7
最大集电极电流 (IC) 0.4 A
集电极-发射极最大电压 80 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40
JESD-30 代码 R-PSSO-F3
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN
表面贴装 YES
端子形式 FLAT
端子位置 SINGLE
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 120 MHz
类别 Diodes
极性 NPN
V(BR)CEO (V) min. 80
IC (A) 0.4
hFE min 70
hFE max 240
Condition1_VCE (V) 2
Condition1_IC (mA) 50
VCE (sat) (V) 0.4
Condition2_IC (mA) 200
Condition2_IB (mA) 20
fT (MHz) min. 120(typ)
PD (W) max. 0.5
AEC Qualified No
最高工作温度 150
最低工作温度 -55
MSL等级 3
生命周期 Active
是否无铅 Yes
符合Reach Yes
符合RoHS Yes
ECCN代码 EAR99
Package Outlines SOT-89
参数规格与技术文档
Galaxy Microelectronics
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