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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Obsolete |
| Objectid | 1446389197 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 风险等级 | 9.66 |
| YTEOL | 0 |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC) | 8 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 120 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 160 |
| JEDEC-95代码 | TO-247 |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs) | 80 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 子类别 | Other Transistors |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | NOT SPECIFIED |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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苏公网安备 32059002001873号