参数名称 | 参数值 |
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Source Content uid | 2N3790 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Obsolete |
Objectid | 1407126054 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.29.00.95 |
风险等级 | 8.64 |
YTEOL | 0 |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 10 A |
集电极-发射极最大电压 | 80 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 5 |
JEDEC-95代码 | TO-3 |
JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 200 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | PNP |
功耗环境最大值 | 150 W |
最大功率耗散 (Abs) | 150 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | PIN/PEG |
端子位置 | BOTTOM |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 4 MHz |
VCEsat-Max | 1 V |