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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 145479594295 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| Country Of Origin | USA |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8541.29.00.95 |
| 风险等级 | 7.38 |
| YTEOL | 6 |
| 外壳连接 | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.3 A |
| 基于收集器的最大容量 | 8 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 150 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 20 |
| JESD-30 代码 | R-XBCC-N3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 200 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 功耗环境最大值 | 1 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 4 W |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 最大关闭时间（toff） | 1150 ns |
| 最大开启时间（吨） | 115 ns |
| VCEsat-Max | 0.4 V |
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苏公网安备 32059002001873号