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1N1199RAE3
二极管 > 整流二极管

1N1199RAE3

Microsemi FPGA & SoC
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AA, GLASS METAL, DO203AA(DO4), 1 PIN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
7.34
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Transferred
Objectid 8072819388
包装说明 O-MUPM-D1
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.10.00.80
风险等级 7.34
应用 POWER
外壳连接 ANODE
配置 SINGLE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 DO-203AA
JESD-30 代码 O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流 250 A
元件数量 1
相数 1
端子数量 1
最高工作温度 200 °C
最低工作温度 -65 °C
最大输出电流 12 A
封装主体材料 METAL
封装形状 ROUND
封装形式 POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压 50 V
表面贴装 NO
端子形式 SOLDER LUG
端子位置 UPPER
参数规格与技术文档
Microsemi FPGA & SoC
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