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1KSMB11A-T
二极管 > 瞬态抑制器

1KSMB11A-T

Rectron Semiconductor
Trans Voltage Suppressor Diode,
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.01
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 8341754977
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.10.00.50
Date Of Intro 2018-12-03
风险等级 7.01
YTEOL 7.06
其他特性 EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压 11.6 V
最小击穿电压 10.5 V
击穿电压标称值 11.05 V
最大钳位电压 15.6 V
配置 SINGLE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
最大正向电压 (VF) 3.5 V
JEDEC-95代码 DO-214AA
JESD-30 代码 R-PDSO-C2
JESD-609代码 e3
最大非重复峰值反向功率耗散 1000 W
元件数量 1
端子数量 2
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性 UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散 5 W
最大重复峰值反向电压 9.4 V
最大反向电流 5 µA
反向测试电压 9.4 V
表面贴装 YES
技术 AVALANCHE
端子面层 MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式 C BEND
端子位置 DUAL
参数规格与技术文档
Rectron Semiconductor
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