对比 | 型号 | 厂商 | 描述 | 价格 | ECAD | 数据手册 | 替代料 | |
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F1209 | Polyfet RF Devices | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | - | |||||
AD | A2T21H360-24SR6 | NXP Semiconductor | 射频/微波组件,Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 63 W Avg., 28 V |