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APT1001R1HN

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对比 型号 厂商 描述 价格 ECAD 数据手册 替代料
对比 APT1001R1HN Advanced Power Technology
Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 1000V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA, TO-258, 3 PIN
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AD FP50R06W2E3B11BOMA1 Infineon Technologies
IGBT模块,FP50R06 - IGBT Module
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