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XRJD-S-21-8-8-C

” 的搜索结果(共 57 个)
对比 型号 厂商 描述 价格 ECAD 数据手册 替代料
对比 SJK-3N08000M3C0450E9 晶科鑫
SMD3225 4PIN OSC 8.000MHZ 3.3V CMOS
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对比 SJK-7N08000M3C0430E9 晶科鑫
8.000MHZ, ±30ppm, 1.8~3.3V, -40℃, 85℃, 5.0×3.2×1.2mm, 5032 OSC, CMOS, 符合
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AD LFSPXO018044BULK Arrow
Oscillator XO 50MHz ±50ppm 50pF HCMOS 55% 3.3V 4-Pin SMD Bulk
对比 SJK-2N08000M3C0430E9 晶科鑫
8.000MHZ, ±30ppm, 1.8~3.3V, -40℃, 85℃, 2.5×2.0×0.80mm, 2520 OSC, CMOS, 符合
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对比 SJK-7I08000MBZ1430E9 晶科鑫
5032/4PIN 8.000MHZ 20pF,±10ppm
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对比 SJK-6I08000MBZ2430E9 晶科鑫
5032/2PIN 8.000MHZ 20pF,±20ppm
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对比 SJK-6B08000MBZ2430E9 晶科鑫
49S插件 8.000MHZ 20PF,±10ppm
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对比 SJK-6C08000MBZ2430E9 晶科鑫
49SMD 8.000MHZ 20PF ±20ppm
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对比 SJK-7U08000MAB2450E9 晶科鑫
3225/4PIN 8.000MHZ 12PF,±10ppm
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对比 SJK-7U08000MAZ1450E9 晶科鑫
3225/4PIN 8.000MHZ 10PF,±10ppm
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对比 G5S06504QT Global Power Technology Co., Ltd
,YES,QFN8*8,单芯,650,4(130°C),8(100°C),13.2,35,2.41,0.07,50,0.65(150°C),100(150°C)
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对比 6N136M UMW 友台半导体
1Mbit/s 0.8us 10kV/us DC DIP-8 ROHS
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对比 6N137M UMW 友台半导体
10Mbit/s 45ns 4.5V~5.5V 10kV/us DC DIP-8 ROHS
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footprint 3dModel
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对比 G4S06508QT Global Power Technology Co., Ltd
,YES,DFN8*8,单芯,650,8(130°C),15.2(100°C),25.7,90,1.29,0.2,50,2.5(150°C),100(150°C)
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对比 G4S06515QT Global Power Technology Co., Ltd
,YES,QFN8*8,单芯,650,15(126°C),23.2(100°C),39,130,0.86,0.5,50,1.4(150°C),100(150°C)
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对比 G5S06506QT Global Power Technology Co., Ltd
,YES,QFN8*8,单芯,650,6(136°C),15.2(100°C),25.7,90,1.29,0.2,50,2.5(150°C),100(150°C)
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对比 G4S06510QT Global Power Technology Co., Ltd
,YES,QFN8*8,单芯,650,10(130°C),19(100°C),33.6,105,0.95,0.25,50,1.5(150°C),100(150°C)
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对比 G5S06508QT Global Power Technology Co., Ltd
,YES,QFN8*8,单芯,650,8(135°C),19(100°C),33.5,105,0.95,0.25,50,1.5(150°C),100(150°C)
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替代料
对比 G5S06510QT Global Power Technology Co., Ltd
,YES,QFN8*8,单芯,650,10(135°C),23.2(100°C),39,130,0.86,0.5,50,1.4(150°C),100(150°C)
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对比 WP30N03A WPMSEMI 维攀电子
-, DFN3x3, N, N, 30, 20, 30, 21, 2.5, 10.5, 14, 950, 204, 121, 28, 5, 8, 27
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对比 LTVS2018H10T5G LRC Leshan Radio Co Ltd
VRWM (V):18, VBR (V) Min:21, IR @VRWM (μA):0.5, IPP tp=8/20μs (A):100, Style:G
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