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GLT4160L16EP-60J4
存储 > DRAM

GLT4160L16EP-60J4

G-Link Technology
EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Contact Manufacturer
风险等级:
8.49
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Contact Manufacturer
Objectid 104490489
包装说明 SOJ, SOJ42,.44
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.02
风险等级 8.49
最长访问时间 60 ns
I/O 类型 COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-J42
内存密度 16777216 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM
内存宽度 16
端子数量 42
字数 1048576 words
字数代码 1000000
最高工作温度 85 °C
最低工作温度 -25 °C
组织 1MX16
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ
封装等效代码 SOJ42,.44
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified
刷新周期 1024
自我刷新 NO
最大待机电流 0.0003 A
最大压摆率 0.14 mA
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 OTHER
端子形式 J BEND
端子节距 1.27 mm
端子位置 DUAL
参数规格与技术文档
G-Link Technology
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