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FP1500QFN-3
晶体管 > 射频场效应晶体管

FP1500QFN-3

Filtronic plc
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.41
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 1958591371
包装说明 CHIP CARRIER, R-CQCC-N4
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 9.41
YTEOL 0
配置 SINGLE
最小漏源击穿电压 6 V
FET 技术 HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带 KU BAND
JESD-30 代码 R-CQCC-N4
元件数量 1
端子数量 4
工作模式 DEPLETION MODE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER
极性/信道类型 N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 NO LEAD
端子位置 QUAD
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE
参数规格与技术文档
Filtronic plc
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