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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 生命周期 | Transferred |
| Objectid | 2078438375 |
| 包装说明 | CERAMIC, QFP-68 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
| HTS代码 | 8542.32.00.41 |
| 风险等级 | 8.02 |
| 最长访问时间 | 55 ns |
| 其他特性 | ALSO CONFIGURABLE AS 2M X 8 |
| 备用内存宽度 | 16 |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | S-CQFP-G68 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 长度 | 23.876 mm |
| 内存密度 | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型 | CACHE SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 32 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 68 |
| 字数 | 524288 words |
| 字数代码 | 512000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 512KX32 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QFP |
| 封装等效代码 | QFP68,.99SQ,50 |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | FLATPACK |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度 | 3.556 mm |
| 最小待机电流 | 2 V |
| 最大压摆率 | 0.625 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | GOLD |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 宽度 | 23.876 mm |
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苏公网安备 32059002001873号