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5962-01-354-1869
存储 > DRAM

5962-01-354-1869

FUJITSU Limited
Page Mode DRAM, 64KX4, 100ns, MOS, PDIP18,
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.83
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1167314748
包装说明 DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.02
风险等级 9.83
YTEOL 0
最长访问时间 100 ns
I/O 类型 COMMON
JESD-30 代码 R-PDIP-T18
内存密度 262144 bit
内存集成电路类型 PAGE MODE DRAM
内存宽度 4
端子数量 18
字数 65536 words
字数代码 64000
最高工作温度 70 °C
最低工作温度
组织 64KX4
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP
封装等效代码 DIP18,.3
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
认证状态 Not Qualified
刷新周期 256
最大压摆率 0.07 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 NO
技术 MOS
温度等级 COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm
端子位置 DUAL
参数规格与技术文档
FUJITSU Limited
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