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3D1D1G16TB2344MSY-5C
存储 > DRAM

3D1D1G16TB2344MSY-5C

3D PLUS
DDR DRAM, 64MX16, CMOS, PBGA60, FBGA-60
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Contact Manufacturer
风险等级:
8.36
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Contact Manufacturer
Objectid 1383342781
包装说明 BGA,
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.32
风险等级 8.36
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST
其他特性 AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-PBGA-B60
长度 13.3 mm
内存密度 1073741824 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM
内存宽度 16
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 60
字数 67108864 words
字数代码 64000000
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C
最低工作温度 -55 °C
组织 64MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY
座面最大高度 3.45 mm
自我刷新 YES
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 MILITARY
端子形式 BALL
端子节距 1 mm
端子位置 BOTTOM
宽度 10.6 mm
参数规格与技术文档
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