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2MBI150VA-060-50
晶体管 > IGBT

2MBI150VA-060-50

FUJITSU Limited
Insulated Gate Bipolar Transistor,
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
-
风险等级:
暂无风险等级信息
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Active
Objectid 1247796924
包装说明 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
YTEOL 5.25
外壳连接 ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 150 A
集电极-发射极最大电压 600 V
配置 SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码 R-XUFM-X7
元件数量 2
端子数量 7
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
表面贴装 NO
端子形式 UNSPECIFIED
端子位置 UPPER
晶体管应用 MOTOR CONTROL
晶体管元件材料 SILICON
标称断开时间 (toff) 600 ns
标称接通时间 (ton) 650 ns
参数规格与技术文档
FUJITSU Limited
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